В Мюнхене украинский кризис станет лейтмотивом второго дня конференции - 07.02.2015 Украина.ру
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

В Мюнхене украинский кризис станет лейтмотивом второго дня конференции

Читать в
На полях мюнхенской конференции по безопасности одной из главнейших тем станет ситуация на Украине

К саммиту, стартовавшему днем ранее, 7 февраля присоединятся канцлер Германии Ангела Меркель и украинский президент Петр Порошенко. Намечены и трёхсторонние переговоры Меркель с Порошенко и вице-президентом США Джо Байденом.

Как ожидается, канцлер расскажет об итогах визита в Москву, где накануне прошли переговоры между лидерами ФРГ, Франции и России. Впервые за последние четыре года на конференции по безопасности в Мюнхене Ангела Меркель выступит с речью.

Также стало известно, что у главы российского МИД Сергея Лаврова в Мюнхене намечен целый ряд двусторонних встреч. В том числе с генсеком НАТО Йенсом Столтенбергом и представителем ЕС по иностранным делам и политике безопасности Федерикой Могерини. Не исключается также встреча Лаврова с госсекретарём США Джоном Керри.

Отметим, в Вашингтоне в данный момент активно обсуждается перспектива начала поставок на Украину летальных вооружений. Эту инициативу поддерживают кандидат в министры обороны США Эштон Картер и глава сенатского комитета по делам вооружённых сил Джон Маккейн.

Накануне на конференции по безопасности в Мюнхене генсек НАТО Йенс Столтенберг заявил, что каждая страна НАТО должна принять своё собственное решение о поставках оружия на Украину, альянс как организация этот вопрос не рассматривает.

В свою очередь, министр обороны США Чак Хейгел заявил, что он очень обеспокоен потенциальным расколом внутри НАТО. По его словам, страны северного региона хотят сосредоточиться на растущей угрозе со стороны России, в то время как другие члены Альянса на юге больше беспокоятся о наплыве иностранных боевиков из северной Африки.

 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала