Глава МИД Португалии осудил арест Вышинского - 13.07.2022 Украина.ру
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Глава МИД Португалии осудил арест Вышинского

Читать в
ДзенTelegram
Министр иностранных дел Португалии Аугушту Сантуш Силва раскритиковал власти Украины за преследование руководителя портала РИА Новости Украина Кирилла Вышинского по обвинению в госизмене

Кирилл Вышинский
Кирилл Вышинский: Больше всего мне хочется живого общения с теми, кто меня любит, помнит и ждетВот уже 193 дня наш коллега и друг Кирилл Вышинский, главный редактор информационного портала «РИА Новости Украина», находится в херсонском СИЗО по абсурдному обвинению в государственной измене
Такое заявление он сделал 24 ноября по итогам переговоров с главой российской дипломатии Сергеем Лавровым в Лиссабоне, передает РИА Новости.

По его словам, Португалия не приемлет аресты по политическим мотивам, как это произошло с Вышинским.

«Поэтому мы осуждаем это, будь это в европейской стране или в любом другом государстве», — сказал Аугушту Сантуш Силва.

В середине мая Кирилл Вышинский был задержан Службой безопасности Украины (СБУ) по обвинению в госизмене. Тогда же прошли многочасовые обыски у него в квартире, в редакционных офисах агентства и в квартирах некоторых журналистов. Позднее Вышинского этапировали в Херсон, где 17 мая суд избрал ему меру пресечения — арест на 60 суток без возможности внесения залога. 6 июля Вышинского уведомили о новом подозрении — в незаконном хранении огнестрельного оружия и боеприпасов.

Херсонский городской суд 6 сентября продлил его арест до 4 ноября. Позже срок содержания под стражей продлили до 28 декабря.

Президент РФ Владимир Путин назвал ситуацию беспрецедентной, заявив, что Вышинского арестовали «за его прямую профессиональную деятельность, за осуществление его журналистской функции». Москва направила Киеву ноты протеста с требованием прекратить насилие над представителями прессы.

 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала