«Ты зачем туда едешь?» Погребинский назвал визит Зеленского в Давос плохим знаком - 13.07.2022 Украина.ру
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

«Ты зачем туда едешь?» Погребинский назвал визит Зеленского в Давос плохим знаком

© РИА Новости . Максим Блинов / Перейти в фотобанкПрезидент РФ В. Путин принимает участие в XIII ежегодном заседании Международного дискуссионного клуба "Валдай"
Президент РФ В. Путин принимает участие в XIII ежегодном заседании Международного дискуссионного клуба Валдай
Читать в
Президенту Украины Владимиру Зеленскому не стоит ехать на экономический форум в Давос, так как это будет впустую потраченное время, сказал политолог Михаил Погребинский

Он отметил, что Зеленский уже получил признание и любовь «миллионов девушек и недевушек», президент уже должен быть немножко пресыщен ощущением нахождения на вершине славы, но он все равно хочет поехать в Давос.

«Ну ты чего, ты вообще будешь понимать, о чем там речь будет идти? Когда ты прочитаешь, что тебе напишут, и тебе будут хлопать, ты не будешь ощущать себя не на своем месте? Ты зачем туда едешь? Я думаю, что это плохой знак… Нечего тебе делать там, в Давосе», — подчеркнул Погребинский.

XI заседание клуба Валдай. День второй
«Зеленский загнан в угол». Погребинский рассказал, как воспринял президент скандал вокруг ГончарукаПрезидент Украины Владимир Зеленский раздражен, однако в данный момент не может уволить оскорбившего его премьера Алексея Гончарука. Об этом заявил политолог Михаил Погребинский в эфире телеканала «112 Украина» 20 января
По его мнению, Зеленскому и премьеру Алексею Гончаруку, который сам сказал, что он профан в экономике, нет смысла находиться в одном помещении с президентом США Дональдом Трампом и другими людьми, которые реально понимают в бизнесе и финансах.

Форум в Давосе открывается 21 января, выступление Зеленского запланировано на 22 января. На 23 января запланирован его визит в Израиль.  

 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала